Zona fotosensibilă mare InGaAs APD

Numărul cipului

LA50

LA80

LA200A

LA200

LA500

LA1000

parametru

simbol

unitate

Condiție de măsurare

Min

tipic

max

Min

tipic

Max

Min

tipic

Max

Min

tipic

Max

Min

tipic

Max

Min

tipic

Max

Diametrul suprafeței fotosensibile

φ

μm

-

50

80

200

200

500

1000

Unitatea câștigă receptivitate *

R

A/W

λ=1.55μm, P_în=1μW

0.95

1.05

1.10

0.95

1.05

1.10

0.95

1.05

1.10

0.95

1.05

1.10

0.95

1.05

1.10

0.95

1.05

1.10

câştig

M

-

V_R=V_BR -3V

10

13

-

10

13

-

10

13

-

10

13

-

10

13

-

10

13

-

Câștig maxim*

M_max

-

V_R=V_BR -1V

20

35

-

20

35

-

50

53

-

20

35

-

20

35

-

20

35

-

curent întunecat

I_D

N / A

V_R=V_BR -3V

-

1.5

6.0

-

2.5

10

-

6.0

25

-

6

25

-

15

50

-

30

100

Coeficientul de temperatură al curentului întunecat

ΔT_ID

ori/ grad

V_R=V_BR -3V

-

1.1

-

-

1.1

-

-

1.1

-

-

1.1

-

-

1.1

-

-

1.1

-

capacitate

C_t

Pf

V_R=V_BR-3V, f=1MHz

-

0.4

0.6

-

0.7

1.1

-

2.0

2.5

-

2.0

2.5

-

10

15

-

30

40

-3dB frecvență de tăiere

f_C

GHz

M=10, R_L=50Ω

2.0

2.5

-

1.0

1.8

-

0.4

1.4

-

0.4

1.4

-

0.1

0.3

-

-

-

-

tensiunea de avarie

V_BR

V

I_D=10μA

30

-

80

30

-

80

30

-

80

30

-

80

30

-

80

30

-

80

coeficientul de temperatură al tensiunii de avarie

Γ

V/ grad

-40 până la +85 grad

-

0.1

0.15

-

0.1

0.15

-

0.1

0.15

-

0.1

0.15

-

0.1

0.15

-

0.1

0.15

Observație

Versiune cu câștig ridicat

Articol

Parametru/simbol

Valoare evaluată

Arating maxim absolut

Temperatura de depozitare, T_Stg

﹣45 grade ~﹢125 grade

(Funcționare) Temperatura ambiantă,T_c

﹣45 grade ~﹢85 grade

Tensiune de polarizare inversă DC, V_{R max}

V_BR

Densitatea puterii optice de intrare (lumină pulsată 10ns), Φ_e

200 kW/cm²

Curent invers, I_{R max}

2mA

Curent direct, I_{F max}

10mA

Sensibilitate la descărcarea electrostatică, ESD

Mai mare sau egală cu 300V